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产品信息
产品属性FDG6320C
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
停产
FET 类型FDG6320C
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA,140mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX)
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(MAX)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX)
0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX)
9.5pF @ 10V
功率 - MAX
300mW
工作温度FDG6320C
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装FDG6320C
SC-88(SC-70-6)
基本产品编号
FDG6320
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
停产
FET 类型FDG6320C
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA,140mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX)
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(MAX)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX)
0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX)
9.5pF @ 10V
功率 - MAX
300mW
工作温度FDG6320C
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装FDG6320C
SC-88(SC-70-6)
基本产品编号
FDG6320
环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095


属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095